مطالعه فوتو لومينسانس آلياژ هاي GaInNP

Photo luminescence Studey of GaInNP alloys

در اين مقاله به كمك نتايج حاصل از اندازه گيري هاي فوتولومينسانس (PL) و فوتولومينسانس تحريكي (PLE) در مناطق مرئي و فروسرخ خواص اپتيكي آلياژهاي GalnNP با مقادير رقيق نيتروژن بين صفر تا 2٪ مورد مطالعه قرار گرفته اند. اين نتايج نشان مي دهند كه حضور نيتروژن ضمن ايجاد كاهش شديد گاف نواري و بدليل اثر خمش نواري و كيفت اپتيكي تركيبات نيمرساناي مورد مطالعه را بدليل ايجاد مراكز غير تابشي و تراز هاي عميق انرژي در لايه هاي رو آراستي كاهش مي دهد. همچنين نتايج اين مطالعه نشان مي دهد كه حضور N در آلياژهاي GalnP احتمالا سبب تغيير آرايش نواري در محل مرز مشترك ساختارهاي ناهمگون / GaAs Gao . elnas4NP مورد مطالعه از نوع اول (1) به نوع دوم (II) به ازاي مقادير نيتروژن (1) بزرگتر از از 0 / 5 خواهد شد.

Photo luminescence (PL), and PL excitation(PLE) measurements in visible and infrared regions, are employed to study optical properties of GaInNP alloys.This results show that the presence of nitrogen in these alloys not only leads to a strong reduction of the band gap due to band bowing effect, but also leads to a reduction of the optical properties due to introduction of non-radiative centers and deep energy levels in GaInNP epilayers. Results of this study also shows that a nitrogen-induced change in the band lie up at the Ga0.46In0.54NxP1−x /GaAs interface from the type I to type II in the samples with nitrogen compositions exceeding 0.5%.