مطالعه تاثير هيدروژن بر خواص الكتروني نانوسيم هاي تركيب سولفيد بريليوم در فاز وورتسايت

Study the effect of Hydrogen on the electronic properties of wurtzite Beryllium Sulphide nanowires

در كار حاضر با استفاده از نظريه تابعي چگالي و تقريب شبه پتانسيل، به بررسي پايداري و خواص الكتروني نانوسيم هاي فاز وورتسايت تركيب BeS در دو حالت غير اشباع (داراي پيوند آويزان سطحى (DBs) و اشباع شده (بدون DBs) پرداخته ايم. نتايج بيانگر اين است كه، اشباع مسافري DBs با استفاده از اتمهاي هيدروژن، باعث پايداري بيشتر آنها مي شود. بررسي ساختار نواري نانوسيم هاي مذكور نيز نشان مي دهد كه برخلاف حالت انبوهه، گاف نواري هر دو نوع نانوسيم مستقيم مي باشد و نانوسيم هاي اشباع شده داراي مقادير گاف انرژري بالاتري نسبت به حالت غير اشباع خود مي باشند و با افزايش قطر نانوسيم، به حالت انبوهه ميل مي كند. به منظور بررسي بيشتر تاثيرگذاري اشباع سازي بر نوع هيبريداسيون و چگالي حالت ها، به مطالعه توزيع حالت هاي اتمي نزديك بيشينه نوار ظرفيت (VBM) پرداخته ايم.

In the present work, we have studied the stability and electronic properties of saturated (without dangling bonds (DBs)) and unsaturated BeS wurtzite nanowires using first principle calculations within plane-wave pseudopotential method. These calculations show that the saturation of DBs by Hydrogen atoms results in more stability of them. The considerations of bandstructures illustrate that, in contrast to the bulk phase, both saturated and unsaturated band gaps are direct; also the values related to saturated nanowires are larger than unsaturated and by increasing the diameter of nanowire, it tends to the value of bulk. Finally, in order to study the effect of saturation on density of states, we have investigated the distribution of atomic states near the valance band maximum VBM