بررسي ضريب عبور الكتروني يك نانو نوار گرافن در حضور ناخالصي الكتريكي

The Electronic transport of a Graphene Nanoribbon in the Presence of the Electric Impurity

در اين مطالعه، ابتدا با به كارگيري تقريب همسايه ي اول در رهيافت بستگي قوي و به كمك روش تابع گرين، به محاسبه ي ضريب عبور الكتروني يك نانو نوار گرافن در حضور و غياب ناخالصي الكتريكي ميپردازيم. نتايج نشان م يدهد كه حضور اتم ناخالصي در ساختار گرافن سبب از بين رفتن تقارن طيف رسانش و افزايش آن در انرژي صفر مي گردد. همچنين قرار دادن ناخالصي روي تمام اتم هاي هر دو لب ه بالايي و پاييني گرافن باعث كاهش نوسان ها و هموار شدن نمودار ضريب عبور به صورت تابعي از انرژي الكترون ورودي مي شود.

In this paper, we study the electronic transport of a graphene nanoribbon in the presence and absence of electric impurity by using Green’s function method at the tight-binding approach within the nearest neighbor approximation. The results show that the existence of electric impurity in the nanoribbon destroys the symmetrical behavior of the conductance spectrum and causes the increasing of conductance at zero energy. The existence of electric impurity on the atoms which located at both up and down edges of the nanoribbon increases the number of oscillating peaks in the conductance when it is considered as a function of energy