مكانيسم رسانندگي الكتريكي لايه هاي نازك آمورف Te02 - V20 ; - Ni0 تهيه شده به روش تبخير حرارتي در خلا با ساختار MIM

Electrical Mechanism of Thin Films Te02-V,05 - Nio prepared by vacuum evaporation method with MIM structure

در اين كار تجربي نمونه هايي از مواد شيشه اي بايد با درصد مولكولي جهت بررسي خواص الكتريكي تركيب فوق، لايه هاي نازكي با درصد مولي 30، 10، 0 = با روش تبخير حرارتي از طريق چشمه ي حرارتي مقاومتي تهيه شده اند. رانندگي 23 -300 اندازه گيري شده و تا 30 - : 30 - ماده اي در گستره ي دمايي ، تمام نا الكتريكي تا لايه هاي نازك درصد مولكولي است. بررسي وابستگي دمايي رسانندگي اين سه نمونه نشان داد كه مدل جهش پولارون كوچك در محدوده ي دمايي مورد نظر قابل كاربرد است. با افزايش / "0 / 030 تا 052/ره الكترون ولت افزايش مي يابد. رسانندگي را در دماي * 3 39 براي اين نمونه ها در گستره ي اكسيد نيكل مقادير انرژي فعال سازي از مقدار بدست آمد كه نشان دهنده ي اين است كه با افزايش در صد مولي اكسيد نيكل، رسانندگي كاهش مي يابد. چون اكسيد نيكل تشكيل دهنده ي 0 / 29 7 / 5X10- :"تاران 100 * شبكه ي شيشه اي نمي باشد، در نتيجه يونهاي نيكل در شبكهي شيشه اي ايزوله هستند و بعلت فقدان پيوندهاي اكسيژن مانع از جهش الكترونها مي شوند. در واقع يونهاي نيكل مانع رسانش و انتقال حاملها در شيشه هستند، بنابراين با افزايش درصد مولي اكسيد نيكل، رسانندگي كاهش و انرئي فعال سازي افزايش مي يابد. بررسي رفتار جريان بر حسب ولتاژ اين سه نمونه نشان داد كه در ميدانهاي پايين مشخصه - مي شكل خطي رسانئ اهمي دارد، در حاليكه در ميدانهاي بالا (بالاتر از 4 و 106) اين مي نمونه ها در سه دماي متفاوت تا 23 ، 38، 3000 = T مورد مطالعه قرار نمونه ها رفتار غير أهم از خود نشان مي دهند (رسانش غير اهمي)، رفتار مشخصه - گرفت. در دماهاي بالا، بعلت افزايش رسانش با افزايش دما ميدان آستانه ي رفتار غير اهمي كاهش مي يابد. به عبارت ديگر با افزايش دما منطقه ي غير اهمي به سمت ميدانهاي پايين تر منتقل مي شود. بنابر اين نتيجه گرفته شد كه مكانيسم رسانش در اين منطقه غير اهمي با اثر ميدان الكتريكي از طريق گرمايي تحريك مي شود.

Physic Faculty Tabriz University Alloy 29 Bahman Tabriz University Tabriz In this experimental work bulk glasses of 40700; – (60 - XY,0; -XN10 compositions with 0 10 V/cm) thin films show non-linear behavior (non-ohmic conduction). Behavior of I-V characteristics of the samples was studied at three different temperatures of 300.348 and 423K. At high temperatures, the threshold field of non-ohmic behavior is reduced due to the increase of conductivity with an increase in temperature; therefore, we can state that the conduction mechanism is due to thermal excitation with the effect of electric field.