لايه نشاني SiO2 به عنوان بافر موجبر نوري توسط پرتو الكتروني روي ويفر سيليكان

SiO2 Deposition as a Optical Waveguide Buffer by Electron Beam on Si Wafer

در اين مقاله، لايه ي نازك SiO2 به روش تبخير پرتو الكتروني روي زيرلايه ي سيليكان نوع p با جهت (100) نشانده شده است. هدف از اين لايه نشاني ايجاد يك لايه بافر به منظور ساخت موجبر نوري از جنس نانو سيم هاي ZnO مي باشد. اختلاف ضريب شكست بين لايه ي SiO2 و محيط نانو سيم هاي ZnO در اثر پديده بازتاب كلي سبب هدايت موج در لايه ي نانو سيم هاي ZnO مي شود. تصاوير SEM بدست آمده، ضخامت لايه ي SiO2 را حدود mm 300 ارزيابي كرد. همچنين آناليز XRD از نمونه ها تشكيل لايه ي SiO2 را تأييد كرد.

In this paper, SiO2 thin film has been produced by electron beam evaporation method on P-type Si substrate with (100) orientation. The purpose of this deposition is to prepare a buffer layer in order to optical waveguide fabrication of ZnO nanowires. The difference of refractive index between SiO2 film and ZnO nanowires confines the optical field in the ZnO waveguide layer and propagates light in the direction of waveguide length. The SEM images show that the thickness of the SiO2 layer is about 300 nm. Also, XRD results from samples confirmed that SiO2 film is fabricated