اثر ساختار باند الكتروني بر ويژگي هاي ترموالكتريكي نانو ساختارهاي يك بعدي

The effect of electronic band structure on thermoelectric properties of one dimensional nano-structure

ويژگي هاي ترابردي نانوساختارهاي يك بعدي تركيبات II - VI و III - V در چارچوب تقريب زمان واهلش و به وسيله ي معادله انتقال بولتزمن مطالعه شده است . كميت شايستگي (ZT) و ويژگي هاي ترموالكتريكي براي دو تركيب گاليوم آرسنايد (تركيب III- V ) با ساختار باند سهموي و كادميوم سولفيد (تركيب III- V1) با ساختار باند غير سهموي ، در بازه ي دمايي 100-400 درجه كلوين ، به ازاي پراكندگي هاي مختلف مقايسه شده است . در دماي يكسان، ماده اي كه ساختار باند غير سهموي دارد ، كميت شايستگي بزرگتري را نسبت به ماده با ساختار باند سهموي دارا است .

Transport properties of one dimensional nano-structure of III-V and II-VI materials have been investigated using Boltzmann transport equation in the framework of the relaxation time approximation. Figure of merit and transport properties of GaAs (III-V compounds) with parabolic band structure and CdS (II-VI compounds) with non-parabolic band structure have been compared in the temperature range of 100-400 K for different scatterings. At the same temperature, the material with non-parabolic band structure has a greater figure of merit in comparison with the material with parabolic band structure