ساخت و بررسي لايه هاي نازك تك بلور نيكل بر روي سيليكون به روش لايه نشاني ليزر پالسي (PLD)

(Fabrication and Analysis of Nickel single crystal thin films on Silicon substrate by Pulsed Laser Deposition (PLD

در اين تحقيق به بررسي اثر دماي زير لايه بر رشد بلوري و خواص ساختاري لايه هاي نازك نيكل پرداخته شده است. بدين منظور لايه هاي نازك را به روش لايه نشاني ليزر پالسي بر روي سيليكون ( 100 ) در دماهاي مختلف لايه نشاني شدند. نتايج حاصل از تحليل پراش پرتو ايكس نمونه ها نشان مي دهد كه با افزايش دماي زير لايه فاز بلوري نيكل-سيليكون تشكيل شده است. از تصاوير ميكروسكوپ نيروي اتمي نيز ميتوان دريافت كه لايه هاي نازك نيكل در دماي 700 درجه سلسيوس داراي ساختار بلوري بوده و در جهت صفحات سيليكوني رشد كرده است كه اين مطلب با نتايج حاصل از تحليل پراش پرتو ايكس در توافق است .

In this research the effect of temperature on Nickel single crystal growth thin films and their morphology was investigated. The XRD results show that by increasing substrate temperature Ni single crystal phase on Si plan direction was formed. Also from AFM images it can be concluded that in 700ºC Ni thin film has a crystal structure and it grows in Si plan direction which is in good agreement with XRD results