شماره ركورد كنفرانس :
3333
عنوان مقاله :
مطالعه خواص فوتو رسانايي و ترمو الكتريكي(اثر سيبك) لايه هاي نازك نانو ساختار ZnO:Sn تهيه شده به روش اسپري پايروليزيز
عنوان به زبان ديگر :
The study of photoconductivity & thermoelectrical (Seebeck effect) properties of ZnO:Sn nanostructural of thin films prepared by spray pyrolysis method
پديدآورندگان :
معيني مجيد دانشگاه دامغان - دانشكده فيزيك , ارديانيان مهدي دانشگاه دامغان - دانشكده فيزيك , عظيمي جويباري حسن دانشگاه دامغان - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
خواص فوتو رسانايي , خواص ترمو الكتريكي , اثر سيبك , لايه هاي نازك , نانو ساختار ZnO:Sn , روش اسپري پايروليزيز , اكسيد روي
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۹۱
چكيده فارسي :
لايه هاي نازك اكسيد روي با ناخالصي قلع با كسر مولي [ X = [ Sn ] / [ Zn با استفاده از روش اسپري پاير و ليزيز بر روي زير لايه هاي شيشه اي تهيه شده و خواص ساختاري ، فوتورسانايي و ترموالكتريكي آنها بررسي شد. نتايج حاصله بيانگر وجود ساختار ورتسايت با راستاي ارجح [002] مي باشد. براي كسرهاي مولي بالاتر قلع، فازهاي جديدي از ISO و ZRSn03 مشاهده مي شود. بررسي اثر فوتورسانايي نشان داد كه تمامي نمونه ها حساسيت بالايي نسبت به نور دارند و مقاومت آنها با تابش نور كاهش چشمگيري مي يابد. همچنين تغييرات ولتاژ ترموالكتريك بر حسب اختلاف دما (اثر سيبك) نشان داد كه براي نمونه هاي با ناخالصي ٪10 به بالا در اختلاف دماي 190 بين دو چشمه سرد و گرم ، نوع حامل ها تغيير كرده و از نوع n به نوع p تبديل مي گردد.
چكيده لاتين :
Sn doped ZnO thin films were prepared using spray pyrolysis technique for a wide range of X= [Sn]/[Zn] up to 50 at.% and research Structural, photoconductivity & thermoelectrical properties of thin films. Structural results describe Wurtzite polycrystals with preferred direction along [002] while for higher values of X, new phases of (SnO) and (ZnSnO3) were observed.The study of photoconductivity effect of films indicated that all films are strongly sensitive to light & their resistance decrease by light . Also variations of the thermoelectric voltage vs. the difference of temperature (seebeck effect) indicated that for samples by higher than 10% impurity, when the difference between the temperature of hot & cold sources equal 190, the type of carriers changes from n-type to p-type