سنتز و مشخصه يابي لايه هاي نازك نانو ساختار ZnO:Sn تهيه شده به روش اسپري پايروليزيز

Synthesis and characterization of ZnO:Sn nanostructural of thin films prepared by spray pyrolysis method

لايه هاي نازك اكسيد روي با ناخالصي قلع با كسر مولي [ X = { Sn ] / [ Zn با استفاده از روش اسپري پايروليزيز بر روي زير لايه هاي شيشه اي تهيه شد و خواص ساختاري، اپتيكي و الكتريكي آنها به ترتيب با استفاده از اندازه گيري هاي پراش پرتو ايكس (XRD)، طيف سنجي UV - Vis - NIR ، اثر هال و اندازه گيري هاي الكتريكي بررسي شد. نتايج حاصله بيانگر وجود ساختار ورتسايت با راستاي ارجح 002 مي باشد. براي كسرهاي مولي بالاتر قلع، فازهاي جديدي از SHO و ZRSn03 مشاهده مي شود. اندازه گيري گاف اپتيكي نشان دهنده افزايش در مقدار گاف پس از آلايش مي باشد كه مي توان آن را به اثر Burstein - MoSS نسبت داد، ولي با افزايش نا خالصي (براي 50% =X.) مقدار گاف كاهش مي يابد كه اين امر به آثار بس ذره اي نسبت داده مي شود. نتايج حاصل از اثر هال بيانگر اين است كه همه نمونه ها نيم رساناي نوع n هستند و همچنين با افزودن ناخالصي مقاومت نمونه ها كاهش مي يابد

Sn doped ZnO thin films were prepared using spray pyrolysis technique for a wide range of X= [Sn]/[Zn] and Structural, electrical and optical properties of thin films were investigated by X. Ray diffraction (XRD), UVVis- NIR spectroscopy Hall Effect and sheet resistance measurements. Structural results describe Wurtzite polycrystals with preferred direction along [002] while for higher values of X, new phases of (SnO) and (ZnSnO3) were observed. Because of Burstein-Moss effect, Optical band gap increase after doping. A diminish in band gap (for X=50%) attributed to band gap renormalization corresponding to many body effects. The result of Hall effect implication that samples are n-type semiconductor and also the resistivity of samples decreased by doping