تأثير ميدان مغناطيسي بر انرژي بستگي ناخالصي در نقاط كوانتمي چندتايي متقارن GaN

Effect of magnetic field on impurity binding energy in symmetrical multiple quantum dots GaN

انرژي بستگي ناخالصي هيدروژن گونه در نقاط كوانتمي متقارن در تقريب جرم مؤثر و با استفاده از روش وردشي برحسب موقعيت هاي مختلف، غلظت اينديم و طول نقاط محاسبه شده اند. نتايج بيانگر وجود سه قله متقارن در انرژي بستگي متناظر با سه نقطه كوانتمي مي باشد، كه با اعمال ميدان مغناطيسي، ارتفاع قله ها افزايش مي يابند.

Hydrogenic impurity binding energy in symmetrical quantum dots in effective mass approximation and using variational method in terms of position of impurity ,Indium concentration x and length of quantum dot is calculated . The results show three peaks in binding energy are corresponding to three quantum dots and the binding energy increases as magnetic field increases