تونل زني كلين و رسانندگي ناشي از تونل زني در گرافن تحت كشش تك محوري

Klein tunneling and tunneling conductance in uniaxial strained graphene

با استفاده از مدل تنگ بست با تحت كشش قرار دادن صفحه گرافن حامل هاي بار در آن به صورت فرميون هاي ديراك بدون جرم و نامتقارن ظاهر مي شوند. درنتيجه سرعت حامل هاي بار به جهت حركت آنها بستگي پيدا مي كند. همين امر موجب تغييراتي درتونل زني كلين و رسانندگي گرافن تحت كشش در جهت آرمچير با يك سد پتانسيل مي شود كه اين تغييرات براي جريان در جهت موازي با جهت كشش و همچنين براي جريان در جهت عمود بر جهت كشش مورد بررسي قرار گرفته اند. طيف تونل زني كلين بطور صريح براي راستاهاي x و y محاسبه شده و اثر گرافن كش دار در اين ساختار ديده مي شود.

Based on tight-binding model, the charged carriers in a graphene sheet behave as massless and asymmetric Dirac fermions by applying strain. Because of applying the uniaxial strain, the velocity of Dirac fermions depends on their directions. Such effect leads to change of Klein tunneling and also conductance behavior in the armchair direction with a gate barrier. Such behavior is studied for tunneling conductance in the parallel and perpendicular direction of uniaxial strain applied to graphene. The explicit form of the Klein tunneling spectra is obtained in x and y directions and the effect of uniaxial strain is observed in this structure