بررسي اثر حضور در رفتگي پيچشي بر خواص الكتريكي و اپتيكي ساختار ورتزيت گاليم نيترايد

Study On The Effect Of Screw Dislocation At Electrical an‎d Optical Properties Of Wurtzite GaN

خواص الكتريكي و اپتيكي گاليم نيترايد در حالت ايده ال و بعد از ايجاد دررفتگي پيچشي بررسي شده است. محاسبات در چارچوب نظريه تابعي چگالي با روش امواج تخت تقويت شده خطي با پتانسيل كامل و تقريب شيب تعميم يافته انجام گرديد. بررسي نمودارهاي ساختار نواري و چگالي حالات الكتروني در دو ساختار معيوب و ايده ال نشان مي دهد كه دررفتگي پيچشي هيچ تراز انرژي را در گاف نواري ايجاد نمي كند. در نمودار چگالي حالات الكتروني ساختار معيوب قله هاي نوك تيز كاهش يافته و نمودارها پهن مي شون . د تغيير ساختار نواري بلور معيوب ، باعث كاهش ضريب شكست در مقايسه با ساختار ايده ال مي شود در رفتگي عامل كاهش نوسانات و ايجاد ميرايي در نمودارهاي خواص اپتيكي در اغلب فركانس ها مي باشد.

Electrical and optical properties of GaN in perfect and defect structure have been studied. The calculations are performed in the frame of density functunal theory (DFT),using the (FP- LAPW) method with (GGA) approximation.Study of band structures and DOS plots show that screw dislocation acts as trap for unbonded electrons and decreases sharp peaks in DOS plots.Refractive index has decreased by changes of band structure in defect structure. This defect is responsible for gradual changes and observed damping effect in most frequencies of optical plots