شماره ركورد كنفرانس :
3333
عنوان مقاله :
مطالعه اثر پارامترهاي لايه نشاني بر خواص فوتورسانشي و ترموالكتريكي و اثر هال در لايه هاي نازك نيمرساناي نوري SnxSy تهيه شده به روش اسپري پايروليزيز
عنوان به زبان ديگر :
Effect of coating parameters on photo conductivity and thermoelectric properties and Hall effect in thin films optical semiconductor SnxSy, deposited by spray pyrolysis technique
پديدآورندگان :
فدوي اسلام محمدرضا دانشگاه دامغان - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
پارامترهاي لايه نشاني , خواص فوتو رسانشي , خواص ترموالكتريكي , اثر هال , لايه هاي نازك نيمرساناي نوري , سولفيد قلع , SnxSy , روش اسپري پايروليزيز
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۹۱
چكيده فارسي :
در اين پژوهش، لايه هاي نازك سولفيد قلع (SnxSy) ، بر روي زيرلايه شيشه اي به روش اسپري پاير و ليزيز لايه نشاني شده است. هدف از پژوهش مطالعه اثر آهنگ اسپري، دماي بستر و حجم محلول اسپري بر ويژگيهاي الكتريكي، فوتورسأنشي، ترموالكتريكي و اثر هال لايه ها مي باشد. اثر پارامتر هاي لايه نشاني با مشخصه يابي فوتو رسانايي، اثر ترموالكتريك و اثر هال در نمونه ها مطالعه شده است. افزايش دماي بستر و حجم محلول اسپري منجر به افزايش مقاومت الكتريكي و تغيير رسانش از p به n در لايه ها شده است. تغيير پارامترهاي لايه نشاني باعث تغيير مقاومت ويژه، انرژي فعال سازي، پاسخ نوري، تحرك پذيري حاملها، چگالي حاملها و ضريب سييك بترتيب در گستره ي Cm
76300، 0٫02 تا eV 7. (در گستره دماي بالا)، 0 تا 030، 267 تا Cm / vs 136٫2304 ، ". 7 تا "Cm/1 109 428 بار و 0٫0تا mv / kv4 (در دماي k 350) شده است.
چكيده لاتين :
In this study, tin sulfide thin films (SnxSy), have been deposited on a glass substrate by spray pyrolysis technique. The purpose of this research is studying the effect of spray rate, substrate temperature and the volume of spray solution on the electrical, photo conductivity, thermoelectric properties and Hall effect of layers. The effect of deposition parameters by the characteristic photo conductivity, thermoelectric effect and Hall effect in samples is studied. Increasing the substrate temperature and the volume of spray solution resulting in increased electrical resistance and conductivity changes from p to n is in layers. The alter of deposition parameter caused change the resistivity, activation energy, optical response, high mobility of carriers, carrier density and
Seebeck coefficient respectively in the range 1.6 to 7630 ΩCm, 0.02 to 0.7 eV (in the range of high temperature ), 0.1 to 0.63, 2.67 to 13.34 Cm2/vs, 7.86×1013 to 8.42×1019 Cm-3 and 0.06 to 4.6 mv/k (At temperature of 350
k