اندازه گيري ميزان تغيير ظرفيت خازني ديودهاي پرتو دهي شده با نوترون تحت تأثير تغيير فركانس سيگنال اندازه گيري

EXPERIMENTAL MEASUREMENTS OF RADIATION EFFECTS IN DIODES ADJACENT NEUTRON SOURCES ACCORDING TO CHANGES OF DIODE CAPACITANCE

وقتي قطعات الكتروني در معرض تابش نوترون قرار مي گيرند در اثر اندركنشهاي نوترون در اين قطعات، مشخصات الكتريكي آنها مانند ظرفيت خازني، جريان باياس معكوس، طول عمر حامل اقليت و غيره ... تغيير مي كنند. اين تغييرات بسيار مهم بوده تا آنجا كه ممكن است عملكرد قطعه را مختل كرده و آن را از كار بيندازد. بنابراين اندازه گيري ميزان آسيب ناشي از نوترون در اين قطعات بسيار ضروري مي باشد. مهمترين اندركنشهاي نوترون در شبكه بلور سيليسيم عبارتند از: يونيزاسيون، آسيب جابجايي، آسيب تك رخدادي و واكنشهاي هسته اي كه اثرات بعضي از آنها دائمي و بعضي ديگر گذرا مي باشد. ظرفيت خازني ديودهايي كه تحت تابش قرار گرفته اند وابسته به فركانس سيگنال اندازه گيري است. ميزان تغيير ظرفيت خازني بر حسب فركانس بيانگر ميزان آسيب وارده به قطعه است. هدف از انجام اين كار اندازه گيري ميزان تغيير ظرفيت خازني تحت تأثير افزايش فركانس در شارش هاي مختلف براي ديودهاي BYV27 ، BYV95C و in4007 است. اين ديودها در راكتور تحقيقاتي تهران پرتودهي شده اند و نتايج بدست آمده با روابط تئوري انطباق خوبي دارد.

When electronic devices is exposed neuron sources, their electronic properties, such as capacitance, reverse bias current, minority carrier lifetime and… are changed. These changes are so important. These factors disturb operations of devices, so it is necessary to measurement amount of radiation damage from neutron in these devices. The capacitance of irradiated diodes is dependent to signal frequency. These changes are defined as a damage factor. In this work, the values of these changes for 3 diodes namely BYV27, BYV95C and 1N4007 have been measured. These diodes are radiated to Thermal Research Reactor. Results show that the measurement is compatible theatrical relations and by increasing radiation flux, the capacitance changes versus frequency have been increased