بهينه سازي شرايط سونش آشكارساز CR-39 در محلول NaOH و اندازه گيري زاويه ي بحراني سونش

Optimization of etching conditions of CR-39 detector in NaOH solution and measurement of critical angle of etching

شرايط سونش آشكارساز نقش مؤثري بر بازده آشكارسازي رد ذرات باردار در مواد جامد ديالكتريك دارد. در اين مقاله روند تجربي بهينه سازي شرايط سونش آشكارساز CR-39 در محلول NaOH شرح داده شده است. بيشترين بازده اين آشكارساز براي ذرات آلفاي 241Am پس از سونش در محلول NaOH با غلظت 6 نرمال و دماي 70 درجه ي سانتيگراد ، 73/3 درصد به دست آمده است، كه زاويه ي بحراني سونش معادل با آن 15/49 درجه است. محاسبه ي بازده به وسيله ي شمارش تعداد رد قابل مشاهده، مطابقت خوبي با روش سرعت هاي سونش دارد.

Etching conditions have a great effect on track registration efficiency of charged particles in solid insulator materials. This experimental study was designed to optimize etching condition of CR-39 detector in NaOH solution. Maximum efficiency and critical angle of etching for 241Am alpha particle tracks in CR-39 were found to be 73.3% and 15.49° respectively, after etching in 6 M NaOH solution at 70 c . There is a good agreement between our results and similar quantities obtained from etching rates method