ارائه ساختار جديد نانو ديود اثرميداني با اتصال جانبي سيليسيم روي عايق جهت بهبود مشخصه الكتريكي

ديود اثر ميداني با اتصال جانبي ( S - FED) به ازاي طول كانال كمتر از 35 نانومتر و با در نظر گرفتن پديده تونل زني باند به باند (BTBT) در حالت خاموش جريان زيادي را از خود عبور مي دهند. در اين مقاله يك ساختار جديد از ديود اثر ميداني با اتصال جانبي در تكنولوژي SOI معرفي مي شود كه مشخصات الكتريكي بهتري نسبت به ساختارهاي متداول دارد. ايده اصلي مقاله بر مبناي كاهش تزريق حامل هاي اقليت ناشي از نواحي سورس و درين دركانال در حالت خاموش با تكنيك كاهش سطح اشتراك كانال با نواحي سورس ودرين است. بهبود عملكرد قطعه توسط شبيه ساز دوبعدي بررسي مي شود. در ساختار پيشنهادي نسبت IoN / IOFF از مرتبه 10* 1/6 در ساختار S- FED به 10*1/3 در ساختار جديد افزايش يافته و بهبودي چشم گيري داشته است. نتايج نشان مي دهد كه ساختار پيشنهادي مشخصه الكتريكي بهتري نسبت به ساختار متداول ديود هاي اثرميداني در ابعاد نانومتري را دارا است.