شماره ركورد كنفرانس :
3528
عنوان مقاله :
ترانزيستور نانوسيمي بدون پيوند گيت خميده با نرخ Ion / Iorr بالا
پديدآورندگان :
پورمهدي احسان دانشگاه شهيد بهشتي - دانشكده برق - گروه الكترونيك , شريفي محمدجواد دانشگاه شهيد بهشتي - دانشكده برق - گروه الكترونيك
كليدواژه :
نرخ جريان مد روشن به خاموش , تونل زني باند به باند , گيت خميده , نانوسيم , ترانزيستور بدون پيوند
سال انتشار :
ارديبهشت 1397
عنوان كنفرانس :
بيست و ششمين كنفرانس مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله ساختاري معرفي شده است كه در آن بوسيله ايجاد تغيير در شكل عايق گيت نرخ جريان مد روشن به خاموش در ترانزيستورهاي نانوسيمي بدون پيوند (JNT) بمقدار زيادي بهبود داده شده است. نشان داده شده است كه ايجاد تغييرات كنترل شده در ضخامت عايق مي تواند نرخ تونل زني باند به باند (BTBT) را از مقدار cm3. s- 1025 به cm3 1021 كاهش دهد. به دليل اينكه در JINT نرخ BTBT سهم زيادي از جريان نشتي را به خود اختصاص مي دهد، از اين رو كاهش آن مي تواند تاثير چشم گيري بر I0ff ترانزيستور داشته باشد. در اين تحقيق از نرم افزار 03-2013-Sentaurus TCAD H براي شبيه سازي افزاره هاي ارائه شده و تاييد نتايج، استفاده شده است.
