بررسي و شبيه سازي مشخصه هاي ديناميكي ليزر نقطه كوانتومي InAs-GaAs بر اساس تغييرات دما

Investigation and simulation of dynamic characteristics for InAs-GaAs quantum dot laser based on the variation of temperature

در اين مقاله مدلي براي بررسي تاثير دما بر عملكرد ليزر تقطه كوانتومي InAs-GaAs ارائه شده است. معادلات آهنگ را بصورت عددي با استفاده از روش رانگ- كوتا مرتبه چهار حل م يكنيم. با در نظر گرفتن نتايج شبيه سازي ها مشاهده مي نماييم كه با افزايش دما، به طور قابل توجهي ليزر دهي از تراز حالت پايه به تراز حالت برانگيخته تغيير مي كند. علاوه بر اين در دماي 300 كلوين ليزر دهي از هر دو تراز حالت پايه و حالت برانگيخته به طور همزمان رخ مي دهد. همچنين مشاهده شده است كه چگالي جريان آستانه ليزر دهي حالت برانگيخته با افزايش دما، بطور قابل ملاحظه اي كاهش مي يابد.

In this paper; a model is presented to study the influence of temperature on efficiency of InAs/GaAs quantum dot (QD) lasers. We solve rate equations numerically by using fourth-order Runge-Kutta method. By considering the results of simulations we observed that lasing changes from ground state (GS) to exited state (ES) significantly when temperature increases. Moreover lasing emerges from both ground state and excited state simultaneously at 300 ͦ k. Also it is illustrated that threshold current of exited state lasing decreases considerably when temperature increases