مهندسي ساختار نواري بلور فوتوني دو بعدي چهار گلبرگي

Band structure engineering of two dimensional four-leaf photonic crystal

در اين كار ايده بلور فوتوني دوبعدي چهار گلبرگي را مطرح مي كنيم و مهندسي ساختار نواري كاملي از اين بلور ارائه مي دهيم. اين بررسي علاوه بر نقشه گاف نواري شامل نمودار دوبعدي نسبت پهناي گاف به بسامد مياني گاف نواري از تغيير همزمان دو پارامتر ساختاري و مادي بلور فوتوني مي باشد. اين نوع نمايش فرآيند انتخاب پارامترها و طراحي بلور را تسهيل مي نمايد. براي مثال بررسي نمودارها نشان مي دهد كه حساسيت گاف فوتوني به پارامتر كشيدگي بيضي β كمتر است و در مرحله ساخت دقت كم در اين پارامتر مشكل خاصي ايجاد نمي كند.

In this paper we propose the new tow dimensional four-leaf photonic crystal and present the full band structure engineering for it. This study encompasses the band gap maps and the new 2D plot of gap width to mid-gap ratio for instantaneous variation of two structural and material parameters of given photonic crystal. The latter presentation simplifies parameter selection and design of photonic crystal. For example, we see from data that gap map in less sensitive to β parameter of ellipse and this will cause reliability during fabrication of the photonic crystal