مطالعه پهناي نوار گاف در نانو بلور فوتوني سه لايه متشكل از دي الكتريك - فلز و ماده چپگرد

STUDY OF BAND GAP WIDTH IN TERNARY NANOPHOTONIC CRYSTAL CONTAINING DIELECTRIC-METAL-LEFT-HANDED MATERIALS

در اين مقاله نشان داديم كه نوار گاف در بلور فوتوني سه لايه شامل دي الكتريك - فلز و ماده چپگرد به طور برجسته اي پهن مي شود. ابتدا پهن شدگي نوار گاف در تابش عمود بررسي شده است. سپس بازتاب بر حسب طول موج در تعداد سلول ها و ضريب شكست هاي متفاوت نشان داده شده است. همچنين اثر زواياي مختلف تابشي بر پهن شدگي نوار گاف فوتوني در قطبش TE و TM بررسي شده است. همه محاسبات با استفاده از ماتريس انتقال و مدل درود در فلزات انجام گرفته است.

We show in this paper, that photonic band gap in ternary photonic crystal containing dielectric-metal-lefthanded materials can be significantly enlarged. First, the band gap enlargement is examined in normal incidence. Next, we investigate reflection in terms of wavelength for different number of unit cells and indices of refraction. Also, we show the effect of different angle of incidence on band gap enlargement in transverse electric (TE) and transverse magnetic (TM) waves. All of calculations have been done with transfer matrix method (TMM) and the Drude model of metals