بررسي برهمكنش وان در والس يك اتم خنثي در نزديكي سطوح دي الكتريك و محاسبه ضريب تصحيح سطح و نيروي متناظر

Investigation of van der Waals intraction between a neutral atom and dielectric surfaces, Calculation of their forces and surface factors

در اين مقاله سه پيكر بندي عمده در نظر گرفته شده است. ابتدا اتم در داخل كره دي الكتريك، سپس خارج از آن و در نهايت در داخل يك استوانه دي الكتريك قرار داديم. در هر يك، نيروي وان در والس با ملاحظات كوانتومي در اولين تقريب به دست آمده است، سپس با كمك نرم افزار متمتيكا به رسم نمودار هاي پتانسيل و ضرايب تصحيح مربوط به آن پرداخته شد. براي رسم نمودار تصحيح نيرو هاي وان در والس بايستي واگرايي هاي موجود را كه از قرار گرفتن اتم به طور دقيق در روي سطح استوانه حاصل مي شود، از بين ببريم. اين كار با روش هاي محاسباتي مربوط صورت گرفت. از اين طريق نتايج قابل توجهي از قبيل تعيين رفتار اين نيرو ها، نيز پيدا كردن مكان دقيق تاثير حد اكثري اين نيروي وان در والس، تعيين حداكثر مقدار عددي فاكتور تصحيح نيروي واندر والس به دست آمد. اين نتايج مي توانند در محاسبات پيشرفته مربوط به نانو فيزيك نظير فولرن ها و نانو لوله ها مورد استفاده قرار گيرند.

In this paper we selected three systems, a neutral atom inside a dielectric nanosphere, out of it and inside of dielctric cylinder. In all of them, we considered Quantum mechanic principals and calculated van der Waals forces in electrostatic approximation. There forces are ploted with omitting divergency of closed equations.We appointed force treats, precise site of maximum intraction in the cylinder,maximum numerical value of surface factors. These closed equations and calculation can be utilized for numerical calculation of complex nano systems like fullerenes and nano tubes