بررسي اثر تغيير شار گاز و توان پلاسما بر خواص الكتريكي و اپتيكي لايه نازك ITO لايه نشاني شده توسط دستگاه كند و پاش DC در ناحيه طول موجي 300 تا 2500 نانومتر

Investigation of changing the plasma power and gas flow on electrical and Optical properties of ITO thin film coated by DC-sputtering system in the 300 – 2500 nm range

در اين تحقيق لايه ي نازك نيم رساناي اكسيد اينديم آلاييده شده با قلع (ITO ) با روش كند و پاش بر روي بستره شيشه با ضخامت 3 ميليمتر در شرايط مختلف شار گاز و توان اعمالي به تارگت، لايه نشاني و خواص الكتريكي و اپتيكي آن مورد بررسي قرار گرفت. مقاومت نقطه اي نمونه ها توسط پروب 4 سر و طيف تراگسيل نمونه ها در محدوده طول موجي 300 تا 2500 نانومتر توسط دستگاه اسپكترو فوتومتر مورد آزمايش قرار گرفت. بررسي ها نشان داد كه كاهش شار اكسيژن از 4/5sccm تا 0/6sccm در كنار افزايش توان پلاسما و همچنين افزايش شار گاز آرگون از 270sccm تا 330sccm باعث افت در طيف عبوري نمونه ها در محدوده ي طول موجي امواج مادون قرمز و در نتيجه بهبود خاصيت كم-گسيلي نمونه ها مي گردد.

In this investigation, ITO semiconductor thin film, coated on 3 mm thick float glass by DC magnetron sputtering system. This coating was performed in different plasma power and gas flow to investigate the electrical and Optical properties of thin film. Electrical property and transmission spectra measured by 4-point probe and spectrophotometer respectively. The investigations showed that decrease in Oxygen and Argon gas flow from 4.5 sccm to 0.6 sccm and 330 sccm to 270 sccm respectively decreases the transmission intensity in the infrared region. Also increasing the plasma power, decreases the transmission intensity and so increases the Low-E property of thin films