بررسي اثر ناخالصي روي هدايت كوانتمي نانو لوله هاي كربني نيمه هادي

A Survey on impurity effect on the quantum conductance of semiconductor carbon nanotubes

در اين مقاله اثر ناخالصي نيتروژن و بور روي هدايت نانولوله كربني نيمه هادي (80) در حد بالستيك بررسي شده است. محاسبات با استفاده از نظريه تابعي چگالي انجام شده كه در همبستگي با تكنيكهاي تابع گرين، هدايت به دست آمده است . ميزان عبور و هدايت ادوات الكترونيكي در مقياس نانو به ساختار بانده و چگالي حالتها بستگي دارد. نتايج محاسبات ما نشان مي دهد كه هدايت كوانتمي نانولوله كربني نيمه هادي با جانشين كردن ناخالصي نيتروژن و بور در ساختار آن در هر دو مورد افزايش مي يابد و نانولوله خاصيت رانندگي پيدا مي كند. ميزان افزايش رانندگي به نوع ناخالصي نيز وابسته است و ميزان افزايش براي ناخالصي نيتروژن بيشتر از ناخالصي بور است .

In this paper the effect of Nitrogen and Boron doping on the quantum conductance of semiconductor carbon nanotubes is investigated. Calculations are performed using density function theory in conjunction with Green function techniques and the quantum conductance is calculated. Transmission and conductance of the electronic devices in nanometer scale depend on the band structure and density of state of device. Our results show that quantum conductance of semiconductor carbon nanotube is increased by replacing Nitrogen and Boron in its structure. The value of increasing conductance depend on the type of impurity. It is greater for Nitrogen doping in comparison with Boron doping