بررسي نظري اثر غيرخطي رامان الكتروني در نقاط كوانتومي PbSe

Theoretical Investigation of Nonlinear Electron Raman Effect In PbSe Quantum dots

در اين مقاله به بررسي اثرات رامان الكتروني در نقاط كوانتومي PbSe مي پردازيم. از بين نظريه هاي مختلفي كه براي بررسي خواص نقاط كوانتومي استفاده مي شوند، به دليل ويژگي هاي نقاط كوانتومي نمك هاي سرب، از معادله هاي توابع پوش چهار نواري براي مشخص كردن حالت هاي مختلف الكترون ها و حفره ها در نقاط كوانتومي PbSe ، استفاده شده است. از حل معادلات فوق الذكر توابع موج مربوطه به دست آورده شده و با استفاده از اين توابع موج، قوانين انتخاب براي گذارهاي الكتروني در حالت هاي متفاوت و هم چنين سطح مقطع پراكندگي جزئي كه طيف پراكندگي ناميده مي شود، به عنوان تابعي از فركانس پراكندگي در اين نقاط محاسبه مي شود.

In this paper we Investigate effects of electron Raman In PbSe Quantum Dots (QD’s). Due to the characteristics of lead salts QD’s, the four-band envelope function formalism is applied to spherical PbSe QD’s to calculate the electron and hole states of the QD’s. by solving the above equations, have been obtained corresponding wave functions. by using these wave functions, the selection rules for electron transitions and also differential cross-section which is called the scattering spectra as a function of scattering frequency in the QD’s is calculated