بررسي كمي تاثير تراكم نيتروژن و بازپخت بر خواص ترابري الكتريكي در نيمرساناي نيتروژن دار رقيق آلايش شده (GaNxAs1-x:Te (x=0.013, 0.019

(A detailed analytical description of nitrogen concentration and annealing effects on electronic transport properties in doped dilute nitride semiconductor GaNxAs1-x:Te (x=0.013, 0.019

در اين مقاله به بررسي وابستگي دمايي تراكم و تحرك حاملها در نمونه هاي نيتروژن دار رقيق آلايش شده (GaNxAs1-x:Te(x=0.013, 0.019 كه به روش MBE رشد يافته اند، پرداخته ايم. داده هاي تجربي نشانگر بالاتر بودن تراكم و تحرك الكتروني در نمونه با كسر مولي نيتروژني كمتر است. همچنين معلوم شده است كه تراكم و تحرك حاملها با افزايش دماي بازپخت رو به افزايش گذاشته است. نتايج محاسبات ما مبتني بر شرط خنثايي بار و ساز و كارهاي مختلف پراكندگي حاكي از آن است كه اين تغييرات تحت تاثير عوامل مختلف از جمله تراكم دررفتگي ها، تله هاي الكتروني، اتم هاي ناخالصي بخشنده موثر و موقعيت انرژي فعال سازي مربوط به آنها در نمونه ها قابل توضيح مي باشد.

In this article we have studied the temperature dependence of carrier concentration and mobility in the doped dilute nitride samples GaNxAs1-x:Te (x= 0.013, 0.019) grown by MBE technique. The experimental data show that the electron density and mobility are higher in sample with lower nitrogen mole fraction. Also it is found in these samples the electron density and mobility are increased after annealing process. The results of our analysis based on neutrality conditions and effective scattering mechanisms show that these variations could be explained by various parameters such as dislocation concentration, trap density, the effective donor concentration and their activation energies in the material