بررسي خواص الكتريكي لايه هاي نازك دي الكتريك اكسيد آلومينيوم در قالب ساختار MOS

Investigation of electrical properties of Al2O3 dielectric thin films in the form of MOS structure

لايه هاي نازك اكسيد آلومينيوم Al2O3) بر روي زير لايه (100) Silicon نوع P كه سطح آن توسط كوره فسفر آلاييده شده، به روش كندو پاش RF در حضور پلاسماي آرگون، در توانهاي لايه نشاني 100، 150 و 200 وات لايه نشاني گرديده و خواص الكتريكي آن با تشكيل ساختارهاي MOS به كمك آناليزهاي C - V و I - V بررسي شده است. پارامترهاي الكتريكي نظير: ثابت دي الكتريك، ولتاژ شكست دي الكتريك و قدرت شكست دي الكتريك از روي اين اندازه گيري ها محاسبه شده، نتايج نشان ميدهد كه افزايش توان لايه نشاني سبب كاهش ثابت دي الكتريك، ولتاژ شكست و قدرت شكست دي الكتريك لايه ها مي شود. همچنين بهترين ثابت دي الكتريك 43 / 7 و قدرت شكست دي الكتريك MV / Cm 2٫4 مربوط به توان لايه نشاني 100 وات مي باشد.

Aluminium oxide (Al2O3) thin films were deposited on p-type Si (100) substrate by RF sputtering in argon atmosphere at 100,150,200 watt rf powers. The surface of Si(100) was doped by the phosphor furnace. Electrical properties were investigated by fabricating MOS structures of Al2O3 thin films deposited in different deposition powers using C-V & I-V analyses. Electerical parameters such as dielectric constant, break voltage and breakdown strength were determined by measuring C-V & I-V characteristics.The results indicate that dielectric constant, break voltage and breakdown strength were decreased with increasing deposition power. Also the best dielectric constant (7/43) & breakdown strength(2/4MV/Cm)are related to 100 watt rf power