رشد لايه هاي گرافن و اكسيد گرافن به روش لايه نشاني بخار شيميايي در خلاء بر روي زيرلايه سيليسيومي و بررسي ساختاري آنها

Growth of graphene and graphene oxide using the low pressure chemical vapor deposition method on the silicon substrate and their structural investigation

در اين مقاله با استفاده از روش لايه نشاني بخار شيميايي در فشار پايين ( LP - CVD ) لايه هاي اكسيد گرافن و گرافن بر روي زيرلايه سيليسيومي ايجاد شده است. در اين روش از نيكل به عنوان لايه كاتاليست و از گازهاي هيدروژن و استيلن براي رشد استفاده شده است. لايه هاي رشد داده شده با استفاده از ميكروسكوپهاي نيروي اتمي و الكتروني روبشي بررسي شده اند. همچنين بررسيهاي ساختاري اين لايه ها توسط پراش پرتوي XRD ) X ) ، طيف سنجي پرتوي فروسرخ (FTIR) و طيف سنجي رامان انجام گرفته است.

Graphene and graphene oxide layers were grown on silicon substrates by low pressure chemical vapor deposition (LP-CVD) using nickel as the catalyst and a mixture of acetylene and hydrogen as the feed gases. The as grown layers were characterized by the atomic force and scanning electron microscopies. X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared spectroscope (FTIR) and Raman scattering analysis were utilized to structural investigation of the prepared samples. It was shown in this study that the partial oxygenation of the LPCVD grown graphene layers at a temperature of about 800-900oC leads to achieve graphene oxide layers