اثر ميدان الكتريكي متقاطع، بر خواص الكتروني نانو لوله هاي كربني تك ديواره (نوع آرمچير) آلاييده با اتم هاي بورون و نيتروژن

Effects of Transverse Electrical Field on the Electronic Properties of Doped Single Walled Carbon Nanotubes (armchair type) With Boron and Nitrogen Atoms

در اين پژوهش، به طور عادي و با استفاده از مدل بستگي قوي ، نظريه تابع گرين تعميم يافته، معادله دايسون و فرمول بندي لانداور، خواص الكتروني نانو لوله هاي كربني تك ديواره (نوع آرمچير) آلاييده با اتم هاي ناخالصي بورون و نيتروژن را تحت يك ميدان الكتريكي عمود بر محور نانو لوله بررسي كرده ايم. محاسبات نشان مي دهد كه چگالي حالت هاي الكتروني نانو لوله در حضور ميدان افزايش مي يابد و اين افزايش براي نانو لوله هاي آلا پياده در ميدان كمتر است. رسانندگي نانو لوله هاي آرمچير در حضور ميدان كاهش مي يابد و اين كاهش براي نانو لوله هاي آلاينده در ميدان بيشتر است.

Using a tight-binding model and some well-known approaches and methods based on Green's function Theory and Landauer formalism, we numerically investigate the electronic properties of both pure and doped armchair SingleWalled Carbon Nanotubes (CNTs) in an external electric field perpendicular to the tube axis. Our calculations show that the electronic density of state (DOS) increase of doped CNTs in the electric field is less than DOS increase of pure CNTs in the field. Conductance reduction of doped CNTs in the electric field is more than Conductance reduction of pure CNTs in the field