بررسي اثر سطح مقطع مؤثر جذب بر ماكسيمم دماي عملكرد ليزر (TPA) در ليزر نيم رساناي نقطه كوانتومي GaInAsP / InP

Investigation of effective cross section effect on maximum operating temperature of GaInAsP/InP Semiconductor Quantum Dot Laser

با در نظر گرفتن سطح مقطع مؤثر براي فرايندهاي اتلاف جذب داخلي (ist 0) حد بالايي براي دماي عملكرد ليزر به وجود مي آيد و عملكرد مستقل از دماي ليزر نقطه كوانتومي كه از مهمترين مشخصات آن مي باشد. تحت تأثير قرار مي گيرد. در اين مقاله به مطالعه تغييرات ماكسيمم دماي عملكرد ليزر(1) بر حسب سطح مقطع مؤئر جذب مي پردازيم و با مشاهده نتايج شبيه سازي به بررسي اثر افزايش دما (1) ، اتلاف آينه اي (2) ، چگالي سطحي نقاط كوانتومي (-N ) و انرژي برانگيختگي الكترون از OD به E , OCL ) بر كاهش ماكسيمم دماي عملكرد ليزر نيم رساناي نقطه كوانتومي GalnasP / InP مي پردازيم.

With considering the effective cross section for the internal absorption loss processes (Oint) an upper limit for laser operation will appear and the temperature independent operation of the quantum dot laser which is one of the most important characteristics of the laser would be affected in this paper we study the alteration of maximum operating temperature of the laser (Tmax) versus effective cross section and with observing the results of simulation we investigate the effect of increasing in temperature(T), mirror loss (P), surface density of quantum dots (N) and the electron excitation energy from QD to the OCL (En), on decreasing in maximum operating temperature of the GalnAsP/InP semiconductor quantum dot laser