مقاومت مغناطيسي در ساختار فرو مغناطيس /سد فرو مغناطيس /ابررسانا(FFpS) گرافيني

magnetoresistance in ferromagnetic/ferromagnetic barrier/superconductor(FFBS) graphene junction

در اين مقاله مقاومت مغناطيسي در ساختار فرو مغناطيس /سد فرو مغناطيس/ ابررساناي موج 5 (FFES) گرافيني مورد بررسي قرار مي گيرد. ناحيه ي سدي در اين ساختار در واقع يك فرو مغناطيس است كه به آن يك پتانسيل گيت وصل شده است. نتايج نشان مي دهند با افزايش طول، پتانسيل گيت و ميدان تبادلي در ناحيه ي عايق فرو مغناطيسي رفتار نوساني مقاومت مغناطيسي افت نمي كند. تغييرات ميدان تبادلي در ناحيه ي فرو مغناطيس روي دامنه و فاز نوسان مقاومت مغناطيسي تأثير مي گذارد. تكينگي ايجاد شده در نمودار MR نتيجه اي از تفاوت خصوصيات ترابردي بازتاب آندريو retro و بازتاب آندريو specular است.

In this paper we have studied magnetoresistance in ferromagnetic/ ferromagnetic barrier/ s-wave superconductor (FFBS) graphene junction. The barrier in this junction is a ferromagnetic which a gate potential is connected. The results show that oscillatory behavior of magnetoresistance do not decay with increasing length, gate potential and exchange field in the ferromagnetic barrier region. The exchange energy in ferromagnetic can affect on amplitude and phase of oscillation of magnetoresistance. The singularity behavior in MR curve is due to the difference in transport properties of Andreev retroreflection and Andreev specular reflection