بررسي نظري و تجربي اثر گرمانوري در يك ليزر نيم رساناي AlGaAs

An experimental and theoretical investigation of photothermal effect of the AlGaAs semiconductor laser

با تابش نور ليزر مدوله شده بر سطح تراشه ي ليزر نيم رسانا و توليد گرما در آن پديده ي گرمانوري رخ داده است. نتايج نشان مي دهد كه با افزايش بسامد مدوله سازي ليزر دمشي، دامنه ي مدوله سازي طول موج حاصل از اثر گرمانوري كاهش مي يابد. از طرفي با افزايش شدت پرتوي دمشي، دامنه ي مدوله سازي طول موج افزايش پيدا كرده است. بررسي نشان مي دهد كه افزايش جريان ليزر نيم رسانا موجب كاهش دامنه ي مدوله شدگي طول موج و افزايش دما موجب افزايش آن مي شود. اين موضوع با به كارگيري الگوي نظري تك بعدي اثر گرمانوري در يك ليزر نيمرساناي AlGaAs بررسي شده است. دو ديدگاه تجربي و نظري به صورت كيفي مقايسه و توافق خوبي را نشان مي دهند.

By irradiation of modulated laser light on the surface of a semiconductor laser chip the photothermal phenomenon occurs. The results show that by increasing the modulation frequency of the pump beam, the modulation amplitude of wavelength decreases. Furthermore, by increasing the pump power the modulation amplitude of wavelength increases. The investigation shows that increasing the semiconductor input current causes to reduce the modulation amplitude of wavelength. Comparing the experimental results with theoretical model of one-dimensional photothermal effect in an AlGaAs semiconductor laser shows a good agreement. PACS No 39-42