مطالعه ساختار و رسانندگي نوري لايه نازك نانو بلوري اكسيد روي ايجاد شده به روش افشانه داغ بر زير لايه سيليكان

Study of Structure and photoconductivity of ZnO nonocrystaline thin film formed by spray pyrolysis method on Silicon substrate

لايه نازك اكسيد روي به روش افشانه داغ بر زيرلايه سيليكان (100) رشد داده شده است. مطالعه مورفولوژي و ساختار بلوري لايه بوسيله ميكروسكوپ الكترون رويشي و پراش پرتو X شكل گيري لايه اي از دانه هاي بلوري اكسيد روي با ميانگين اندازه دانه Hyn 430، با رشد ترجيهي جهت يافته در راستاي بلوري (103) را نشان مي دهد. مشخصه جريان ولتاژ تاريك و تحت تابش نمونه ها پيدايش پيوند فلز نيمرسانا فلز (اتصال شاتكي) را نشان مي دهد. در بررسي رسانندگي نوري لايه اكسيد روي نحت تابش تكفام UV با طول موج تقريبي mmi 253، در پيش ولت 27، نسبت جريان فوتوني به جريان تاريك 88 و پاسخ قطعه حداقل 0 / 15A / W و حداكثر A / V 0 / 4 محاسبه شده است.

ZnO thin films are grown on Si (100) substrate by spray pyrolysis method. SEM and XRD analysis display that films consist of grains with average size of ~43 nm with preferred crystallographic orientation along (103) direction. Formation of MSM junction is observed from dark and illuminated I-V measurements. Photoconductivity measurements of ZnO layer under ~253 nm excitation show that the photocurrent to dark current ratio is ~8 at 2 V and the responsivity in the rang 0.15-0.4 A/W