شماره ركورد كنفرانس :
3255
عنوان مقاله :
محاسبات ابتدا به ساكن خواص انبوهه MnSb و مرز مشترك (001) MnSb / Gasb
عنوان به زبان ديگر :
First Principles study of bulk MnSb and MnSb/GaSb(001) interface
پديدآورندگان :
سرتيپي الميرا دانشگاه آزاد اسلامي كرج - بخش فيزيك , هژبري عليرضا دانشگاه آزاد اسلامي كرج - بخش فيزيك , بوچاني آرش دانشگاه آزاد اسلامي كرمانشاه - بخش فيزيك , شكيب محمدهمايون دانشگاه آزاد اسلامي كرج - بخش فيزيك
كليدواژه :
محاسبات ابتدا به ساكن , خواص انبوهه MnSb , 001) MnSb / Gasb , گذار فازي
عنوان كنفرانس :
دهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
خواص ساختاري انبوهه تركيب MnSb در دو فاز بلند روي (ZB) و NiAs - type با كمك محاسبات تابعي چگالي و با تقريب GGA مورد ارزيابي قرار گرفته است. ساختار NiAs پايدارتر از ساختار بلند روي است. در اثر اعمال فشاري معادل 8 . 27GPa- گذار فازي از ساختار NiAs به ساختار ZB مشاهده مي شود. در حجم هاي بالاتر از حجم تعادلي ساختار بلند روي پايدارتر است. در ادامه خواص الكتروني و مغناطيسي مرز مشترك ابر سلول (001) MnSb / GaSb مورد بحث قرار گرفته است. در مرز مشترك فيلم در اسپين اكثريت حالات الكتروني سطح فرمي را قطع مي كند در شرايطي كه شاهد يك گاف ممنوعه در اسپين اقليت هستيم كه اين موضوع معرف خاصيت نيم فلزي در مرز است. در مرز مشترك همچنين شاهد يك پله پتانسيل هستيم كه به همين ترتيب پارامترهاي VBO و CB0 به ترتيب 0 . 92leV و 0 . 270eV به دست آمده است.
چكيده لاتين :
The structural properties of MnSb bulk in zinc-blende (ZB) and NiAs phases are investigated by Density Functional Theory (DFT) and GGA approximation. The NiAs phase is more stable than ZB phase. By applying the -8.27(GPa), the NiAs phase is translated to the ZB phase. In the larger volume than the ground state volume, the ZB structure is stable. At the end we investigate the electronical and magnetic properties at the MnSb/GaSb(001) interface. At this interface in the majority spin the DOS cut the Fermi level and there is an energy gap for minority spin and this shows the half-metal properties in the interface. The band alignment properties are computed and a rather large minority valance band offset (VBO) of about 0.921eV is observed in this heterojunction and CBO was observed to 0.270V