تهيه لايه هاي نازك اكسيد اينديم آلاييده با قلع به روش بمباران الكتروني و بررسي تاثير غلظت آلاينده اكسيد قلع بر خواص ساختاري و الكتريكي اين لايه ها

Preparation of tin doped indium oxide thin films by electron beam evaporation and investigation The effect of tin oxide dopant concentration on structural and electrical properties of these films

در اين كار تجربه لايه هاي نازك اكسيد اينديم آلاييده با اكسيد قلع (ITO) با تركيب هاي مختلفي از 60 تا %95wt اكسيد اينديم و 40 تا %5wt اكسيد قلع با استفاده از روش تبخير با باريكه الكتروني بر روي زيرلايه هاي شيشه اي انباشت شدند. لايه ها پس از انباشت به مدت 3 ساعت در هوا در دماي 450 تحت عمليات حرارتي قرار گرفتند. تاثير غلظت آلاينده اكسيد قلع با تغيير غلظت آن از 5 تا %40wt بر روي خواص ساختاري و الكتريكي اين لايه ها بررسي و مشاهده شد كه با افزايش غلظت آلاينده تا %20wt ، اندازه دانه ها افزايش و مقاومت سطحي كاهش مي يابد. بيشترين اندازه دانه و كمترين مقاومت سطحي به ترتيب برابر 236na و (sq/2) 12 در لايه هاي با %20wt اكسيد قلع برآورد گرديد.

Tin doped indium oxide (ITO) thin layers were deposited on glass substrates by an electron beam evaporation technique using a various mixtures from 60 to 95wt% indium oxide and 40 to 5wt% tin oxide. Aftter deposition, the films were annealed in air for 3h at 450C. The effect of dopant concentration with change from 5 to 40wt% tin oxide on structural and electrical properties of these layers were investigated. It was observed that with increase of dopant concentration to 20wt%, grain sizes increased and sheet resistance decreased. The highest grain size and lowest sheet resistance were evaluated to be 23nm and 12(0/sq), respectively in the layers with 20wt% tin oxide