بررسي اثر P - type doping بر ضريب فروافت بهره و فاكتور ارتقا پهناي خط ليزر نيمه رساناي نقطه كوانتومي InGaAs - InAs

Study the influence of P-Type Doping on Gain Compression and Linewidth Enhancement Factor in InGaAs-InAs semiconductor Quantum Dot Laser

در اين مقاله ما اثر P - type doping بر ضريب فرو افت بهره در ليزر نيمه رساناي نقطه كوانتومي InGaAs - Inds را بررسي مي كنيم و با استفاده از شبيه سازي ها نشان مي دهيم كه با استفاده از روش P - type doping، ( با تزريق حفره به حالت پايه ليزر )، ضريب فرو افت بهره كاهش يافته و متعاقبا پارامتر هاي كليدي ليزر مانند فركانس نوسانات و اهلشي، بهره آستانه، و در نهايت فاكتور ارتقا پهناي خط ليزر نسبت به ليزر نقطه كوانتومي خودساماني ارتقا مي يابند.

In this paper we study the influence of P-Type Doping on gain compression in InGaAs-InAs semiconductor Quantum Dot Laser. an‎d by simulation, we will show that with uses of P-Type doping (Injection of holes on Grand State of laser)the Gain Compression is lower and because of this critical parameter of laser such as Relaxation Frequency,Threshold Gain, and finaly Linewith Enhancement Factor comparison to self-organized quantum dot laser are enhanced