بررسي تغييرات پارامترهاي اصلي طراحي ناحيه فعال در ليزر نيمه رساناي نقطه كوانتومي GaInAsP/InP

Study of variations of orginal parameters for active region's design in GaInAsP/InP semiconductor quantum dot laser

اثر تغييرات طول كاواك و افت و خيز اندازه نقاط كوانتومي كه پارامتر هاي بسيار موثر در اتلاف كلي و پهن شدگي غير همگن مي باشد را بر چگالي جريان آستانه مطالعه كرديم و كمترين چگالي سطحي نقاط كوانتومي ممكن را بر حسب آنها بدست آورديم. همچنين با افزايش چگالي سطحي نقاط كوانتومي، تأثير آن را بر چگالي جريان آستانه با در نظر گرفتن خنثايي بار بررسي كرديم.

We study effect of variations of cavity length and size fluctions of quantum dots that they are more effective parameters on total losses and inhomogeneous line broadening on threshold current density and obtain minimum surface density of quantum dots versus them. We also discuss effect of increase of surface density of quantum dots