اثر تغيير شرايط لايه نشاني بر روي خواص دي الكتريك لايه هاي نازك اكسيد آلومينيوم لايه نشاني شده به روش كندوپاش RF

The effect of deposition conditions changing on dielectric properties of Al2O3 thin films deposited by RF sputtering

لايه هاي نازك اكسيد آلومينيوم (Al2O3) بر روي زير لايه (100)Silicon نوع P كه سطح آن توسط كوره فسفر آلاييده شده، به روش كندو پاش RF در حضور پلاسماي آرگون لايه نشاني گرديده و تأثير تغيير ميزان خط بر خواص الكتريكي آن بررسي شده است. خواص الكتريكي با تشكيل ساختارهاي MOS از لايه هاي اكسيد آلومينيوم به كمك آناليزهاي C - V و I - V بررسي شده است. پارامترهاي الكتريكي نظير: ثابت دي الكتريك، ولتاژ شكست دي الكتريك و قدرت شكست دي الكتريك از روي اين اندازه گيري ها محاسبه شده است. نتايج نشان مي دهد كه لايه نشاني لايه هاي اكسيد آلومينيوم در خلأهاي بالاتر سبب كاهش ظرفيت ساختار MOS، ثابت دي الكتريك، ولتاژ شكست و قدرت شكست مي شود. بهترين ثابت دي الكتريك 4/ 7 و قدرت شكست دي الكتريك MV / Cm 2٫9 در كمترين خط (torr - 0 21 1 / 5) بدست آمده است.

Aluminium oxide (Al2O3) thin films have been deposited on p-type Si (100) substrate by RF sputtering in argon atmosphere. The surface of Si(100) has been doped by the phosphor furnace. The effect of vaccum changing on their electrical properties were studied. The electrical properties were investigated by fabricating MOS structures of A1,03 thin films by C-V & 1-V analyses. Electerical parameters like dielectric constant , break voltage and breakdown strength were calculated by C-V & 1-V analyses. Results indicate that capacitance of MOS structure , dielectric constant, break voltage and breakdown strength were decreased with increasing vaccityy. The best dielectric constant(7/4) & breakdown strength(2/9MfV/CH) related to the lowest vacciny