شماره ركورد كنفرانس :
3704
عنوان مقاله :
تحليل و مدل سازي ترانزيستورهاي اثرميدان مبتني بر نانولوله كربني
عنوان به زبان ديگر :
Investigation and modeling of carbon nano tube field effect transistors
پديدآورندگان :
پورچيت ساز كاظم kazem.pch@gmail.com دانشگاه آزاد واحد يزد; , شايسته محمد رضا shayesteh@iauyazd.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي واحد يزد ; , رستگاري فخرالسادات fa.rastegari@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد يزد ;
كليدواژه :
ترانزيستور اثرميدان , نانولوله كربن , اثرخودگرمايي , مشخصه ترانزيستور , فركانس قطع , ولتاژ آستانه , بهره توان , خواص الكتريكي
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس بين المللي در مهندسي برق و كامپيوتر با تاكيد بر دانش بومي
چكيده فارسي :
با رشد سريع فناوري ساخت مدارهاي الكترونيكي و ورود به مرز فناوري نانو چالشهاي فراواني را نيز فراروي متخصصين الكترونيك قرار داده است. برخي از اين چالشها مربوط به فرآيند و فناوري ساخت مدارهاي الكترونيكي و بخشي نيز مربوط به كوچك شدن ابعاد ترانزيستورها است. اين مسائل منجرب به جايگزيني مواد جديدي به منظور استفاده در مدارهاي الكترونيكي شده است. يكي از مواد مهم در نانو الكترونيك كه به دليل خواص الكتريكي حرارتي مكانيكي در جوامع علمي مورد توجه قرار گرفته است نانولوله كربن ميباشد يكي از مشكلاتي كه براي افزارهاي مورد بررسي قرار ميگيرد و تأثيري كه روي عملكرد ومشخصات افزاره دارد اثر خود گرمايي ميباشد به طوري كه ثابت شده است دماي ترانزيستور با وجود اين اثر بالا ميرود و افزايش دما باعث كاهش عملكرد ترانزيستور ميشود.در اين مقاله ساختار ترانزيستور اثرميدان نانولوله كربني از لحاظ ساختار هندسي نحوه عملكرد خواص الكتريكي و الكتروگرمايي به خصوص اثر خود گرمايي فركانس قطع مشخصه ترانزيستور و ولتاژ آستانه مورد بحث قرار ميگيرد.
چكيده لاتين :
With the rapid growth of electronics manufacturing technology and entry into the nanotechnology frontier many challenges have also been faced by electronic experts. Some of these challenges relate to the process and technology of manufacturing electronic circuits and partly due to the diminution of transistor dimensions. These issues have led to the replacement of new materials for use in electronic circuits. One of the important materials in nanoelectronics due to its electrical, thermal and mechanical properties in scientific societies is carbon nanotubes, one of the problems that is considered for the instruments and its effect on the function and the devices specificity is the thermal effect The transistor temperature has been proven to increase despite this effect and the temperature increase reduces the performance of the transistor. In this paper, the structure of the carbon nanotube effects transistor in terms of geometric structure mode of operation, electrical properties and electrographic propertie especially the effect of self heating Cutoff frequency transient characteristic Tour and threshold voltage are discussed