بررسي و شبيه سازي اثر تغيير تابع گيت فلزي بر روي عملكرد ماسفت هاي PD-SOI

Investigation and simulation of work function on the performance of PD-SOI-mosfet

در اين مقاله با بهره‌گيري از شبيه سازي با استفاده از نرم افزار سيلواكو به بررسي ويژگي هاي ماسفت‌هاي SOI PD-و ارائه ساختاري به منظور بالا بردن بازدهي اين ترانزيستور پرداخته شده است. سپس با مطالعه تأثيرات تابع گيت فلزي روي عملكرد ماسفت SOI PD-نمودارهاي شبيه‌سازي شده اين اثرات روي پارامترهاي ترانزيستور ارائه مي‌گردد. طول ويژه كانال افزاره شبيه سازي شده برابر با 700nm در نظر گرفته شده است. بنابراين انتظار مي‌رود با تغيير تابع كار گيت فلزي مي‌توان ولتاژ آستانه ترانزيستور را تغيير كند. بنابراين با استفاده از اين تكنيك مي‌توان ولتاژ آستانه مناسب براي ماسفت SOI بدست آورد. همچنين با تغيير تابع گيت جريان نشتي، جريان تونل زني، و اثرات كانال كوتاه را كاهش و جريان تحريك را تغيير داد. بنابراين با انتخاب تابع كار مناسب منجرب به عملكرد بهتر ترانزيستور‌هاي SOI نسبت به ماسفت‌هاي متداول مي‌شود.

In this paper, using the simulation software using the Silavco software, we examine the characteristics of the PD- SOI MOSFETs and provide a structure to enhance the efficiency of this transistor. Then, by studying the effects of the metal gate on the MOSFET performance, SOI PD-simulated simulations of these effects are presented on the transistor parameters. The special length of the simulated device channel is 700nm. Therefore, it is expected that by changing the function of the metal gate, the threshold voltage of the transistor can be changed. So using this technique, you can obtain the appropriate threshold voltage for the SOI MOSFET. Also, by changing the gate leakage function, the tunneling current and the effects of the short channel were reduced and the stimulation current changed. Therefore, by choosing the proper function of the function the SOI transistors perform better than the MOSFETs.