بررسي تاثير ميدان الكتريكي برروي مواد دو بعدي گرافن و سيليسن

The simulation of The electric field effect on The band structure of two- dimensional materials

گرافن يكي از مواد دو بعدي با خواص الكتريكي، مكانيكي و فيزيكي برجسته مي‌باشد، ليكن نبود شكاف نوار در گرافن آن را براي كاربرد هاي الكترونيكي با محدوديت مواجه كرده است. يكي از روش هاي ايجاد شكاف اعمال ميدان الكتريكي به اين ماده مي باشد. از ديگر مواد دو بعدي سيليسن مي‌باشد كه تك لايه اي از سيليكون است و با استفاده از چنين موادي مي توان به تجهيزات الكترونيكي مبتني بر آن با عملكرد روشن و خاموش مورد نياز ترانزيستورها دست يافت. نتايج ما نشان مي‌دهد اعمال ميدان الكتريكي به اين مواد منجر به گذاري از هادي به نيمه هادي مي شود. بنابراينامكان انتقال الكترون ها به سطح بالاتر انرژي شده و بين دو حالت روشن وخاموش فراهم مي شود. با دستيابي به چنين فناوري،توسعه ترانزيستورهاي مبتني بر مواد دوبعدي بسيار آسان تر خواهد شد.

Graphene is one of the two-dimensional materials with high electrical, mechanical and physical properties, but there is no barrier gap in graphene for electronic applications with limited constraints. One of the ways to create a gap is to apply the electric field to this material. The other two-dimensional silicon materials are a single layer of silicon, and using such materials can be found on its electronic equipment based on the switching power requirements of the transistors. Our results show that applying electric field to these materials leads to conduction from the conductor to the semiconductor. Therefore, the electrons can be energized to a higher level, and between two on and off modes. By achieving such technology, the development of two-dimensional material based transistors will be much easier.