شماره ركورد كنفرانس :
3704
عنوان مقاله :
طراحي يك تقويت كننده كم نويز فوق پهن باند CMOS با توان كم
عنوان به زبان ديگر :
Design of a low-power CMOS ultra Wide Band low-noise amplifier
پديدآورندگان :
كمالي محمد امين amin87.kamali@gmail.com دانشگاه شهيد باهنر كرمان; , حكيمي احمد hakimi@uk.ac.ir دانشگاه شهيد باهنر كرمان;
كليدواژه :
CMOS , UWB , تقويت كننده كم نويز , حذف نويز
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس بين المللي در مهندسي برق و كامپيوتر با تاكيد بر دانش بومي
چكيده فارسي :
اين مقاله، طرحي را براي يك تقويت كننده كم نويز فوق پهن باند CMOS و با توان كم ارائه مي دهد كه از يك تكنيك حذف نويز با فرآيند TSMC 0.18 μm RF استفاده مي كند. UWB LNA پيشنهادي از يك ساختار استفاده دوباره از جريان استفاده مي كند تا به جاي استفاده از يك طبقه آبشاري، مصرف توان كل را كاهش دهد. اين ساختار، همان مقدار جريان DC براي اجراي همزمان دو ترانزيستور را مصرف مي كند. استفاده از تكنيك تنظيم يك در ميان، براي دستيابي به يكنواختي بهره در فركانس موردنظر گزارش شده است تا نقاط فركانس تشديدي پايين و بالا را روي كل پهناي باند از 3.1 تا 10.6 گيگا هرتز داشته باشيم. نقاط تشديد از 3 گيگا هرتز تا 10 گيگا هرتز تنظيم شدند تا يكنواختي بهره كافي و اتلاف بازتابشي (برگشتي) را موجب شوند. بعلاوه، تكنيك حذف نويز براي حذف منبع غالب نويز استفاده شد كه توسط اولين ترانزيستور توليد مي شود. نتايج شبيه سازي يك بهره تخت و يكنواخت (S21 10 dB) را با يك امپدانس ورودي خوب كمتر از 10- دسي بل و نيز يك مينيمم رقم نويز 2 دسي بل روي كل باند نشان مي دهند. UWB LNA پيشنهادي، 15.2 ميلي وات از يك منبع توان1.8 ولتي را مصرف مي كند.
چكيده لاتين :
This paper proposes a low power low power CMOS low noise amplifier that uses a noise reduction technique with the TSMC 0.18 μm RF process. The proposed UWB LNA uses a reuse structure to reduce overall power consumption, rather than using a cascading floor. This structure consumes the same amount of DC current to run two transistors simultaneously. Using the one-in-between setting technique has been reported to achieve uniformity of interest at the desired frequency, to have low and high resonance frequency points over the entire bandwidth of 3.1 to 10.6 GHz. The resonance points were set from 3 gigahertz to 10 gigahertz to provide uniformity of gain and reflection loss (return). In addition, noise cancellation techniques were used to remove the dominant noise source produced by the first transistor. The simulation results show a flat and uniform gain (S21 10 dB) with a good input impedance of less than 10 dB, and a minimum of 2 dB noise figure over the entire band. The UWB LNA uses 15.2 mW of an 1.8 volt power supply.