شماره ركورد كنفرانس :
3710
عنوان مقاله :
طراحي ساختار نوين براي بهبود ولتاژ مدار باز و ضريب پرشدگي در سلول هاي خورشيدي GaAs
پديدآورندگان :
شربتي سمانه samaneh.sharbati@semnan.ac.ir دانشگاه سمنان , افضلي سيدسعيد saeed.afzali@semnan.ac.ir دانشگاه سمنان , كوچك پور نگين n.koochakpoor@Gmail.com دانشگاه سمنان
كليدواژه :
آلياژ AlGaAs , بازتركيب تابشي , بازتركيب غيرتابشي , سلول تك پيوندي GaAs.
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس ملي انرژي تجديد پذير و توليد پراكنده ايران
چكيده فارسي :
با پيشرفت هاي اخير در طراحي افزاره، بازدهي سلول‌هاي خورشيدي تك پيوندي Single Junction GaAs به حد تئوري خود نزديك شده است. هدف از اين مقاله، طراحي ساختارهاي نوين براي سلول GaAs بمنظور افزايش بازدهي آن مي باشد. در اين ساختارها سعي بر آن است كه با در نظر گرفتن بازتركيب تابشي و چرخه جذب فوتون، جريان اتصال كوتاه سلول افزايش و با كاهش بازتركيب غيرتابشي، ولتاژ مدار باز سلول بهبود يابد. كاهش مكانيزم بازتركيب از طريق القا ميدان الكتريكي با افزايش ضخامت AlGaAs و تدريجي نمودن توزيع ناخالصي دهنده ها مي باشد. در اين ساختار طراحي شده بازدهي به ميزان 3 /8 % بهبود يافته است.
