بررسي تاثير استفاده از نانولوله كربني بر تحمل پذيري خطاي حافظه ها و مقايسه آنها با روش هاي فعلي ساخت حافظه ها

توليد و ساخت حافظه ها يكي از بزرگترين بخش هاي صنعتي است. اما با مشكلات فني متعددي نيز مواجه است مشكلاتي از قبيل نشت بار از خازن و ساختارهايي با پيچيدگي فزاينده و نيز حساسيت به خطاهاي مختلفي كه در مراحل كار با تجهيزات ذخيره داده ممكن است رخ بدهد سبب مي شود تا سازندگان تراشه نتوانند بيش از اين ابعاد تراشه هاي خود را كاهش دهند. همچنين مسائل قابل توجه ديگري كه در اين زمينه وجود دارد عبارتند از: تراشه هاي SRAM مربوط به سلول هاي بزرگ حافظه ، مشكل قرار دادن DRAM و حافظه فلش در كنار تراشه هاي منطقي و كندي زمان دسترسي به حافظه فلش و پايداري محدود آن است. اين در حالي است. اين در حالي است كه رويكرد فشرده سازي بيش از پيش باعث به وجود آمدن خطاهاي ناخواسته مانند همشنوايي در بين ارتباطات داخلي در حافظه شده است. و همچنين علاقه كاربران براي داشتن حافظه هايي با عمر طولاني باعث توجه دانشمندان به تكنولوژي هاي جديدي گرديده كه توانايي هاي زيادي براي رسيدن به اين اهداف دارند. يكي از مهمترين اين دستاوردها، نانو تكنولوژي است كه در صنعت حافظه بسيار مفيد به چشم آمده و توجهات زيادي را به خود معطوف كرده است.