بررسي خواص الكتروني تك لايه موليبدن سولفيد داراي نقص اتمي با استفاده از نظريه تابعي چگالي

در اين تحقيق با استفاده از نظريه تابعي چگالي، نقش تهي جاهاي اتمي به عنوان نوعي نقص اتمي-ساختاري در يك تك لايه MoS2 مورد بررسي قرار گرفته است. به اين منظور، محاسبات اسپين قطبيده شده براي حالات مختلف ساختاري از جمله ساختارهاي داراي تهي جا و نيز ساختارهاي داراي نقص از نوع جايگزيني اتم داراي الكترون-فرد (نيتروژن) به جاي اتم داراي الكترون زوج (گوگرد) انجام شده است. نتايج نشان داده اند كه تهي جاهاي نقطه اي بر ساختار هندسي MoS2 نقش موثري ايفا نمي­كنند، در حاليكه آنها در ساختار نواري MoS2 به شكل محسوسي اثر گذار خواهند بود. همچنين محاسبات نشان مي­دهند كه با وارد كردن اتم­هاي با الكترون فرد، مانند نيتروژن به جاي اتم گوگرد، قطبش اسپيني موثر در ساختار MoS2 به وجود مي­آيد

In the present work, the role of vacancy of atoms for point defects, in monolayer MoS2 is investigated by using the density function theory. Therefore, the spin polarized calculations are carried out for various conditions of defect structure such as vacancies and also defect point consist of replacing an atom including unpaired electrons (Nitrogen) instead of one of them including paired electron (Sulfur). The results have illustrated that point vacancy defect in spite of sensible efficacy of band structure, don’t have effective role on MoS2 structure. Also, the calculations have shown that replacing atoms which owner unpaired electrons such as Nitrogen instead of Sulfur, the effective spin polarized appears in MoS2 structure.