سنتز نانو سيم هاي سيليكوني به روش سونش شيميايي تك مرحله اي، بررسي تاثير زمان سونش

در اين تحقيق آرايه اي از نانوسيم هاي سيليكوني با روش سونش شيميايي تك مرحله اي به كمك فلز 1-MACE1)) در محلول شيميايي شامل اسيد هيدروفلوريك، آب اكسيژنه و نيترات نقره ساخته شده است. سونش شيميايي در دماي اتاق و در زمان­هاي 30 و 60 دقيقه انجام گرفته است. در تصاوير2 FESEM نمونه ها ملاحظه شد نمونه ي با زمان سونش بيشتر از نانو سيم هايي با قطر كمتر ولي طول بيشتر برخوردار هستند. طيف 3EDS نمونه ها حاكي از شكل گيري نانو سيم هاي تك عنصري (تنها سيليسيوم) در نمونه هاي سنتز شده مي باشد. همچنين طيف بازتاب اپتيكي نمونه هاي متشكل از نانو سيم ها و ويفر سيليكون تخت با يكديگر مقايسه شده اند. نتايج بدست آمده بيانگر كاهش بازتاب در ناحيه مرئي از حدود %40 در ويفر سيليكون تخت به حدود 1/0-2/0 درصد در نمونه هاي حاوي نانو سيم ها در سطح مي باشد.

In this research, an array of silicon nanowires is fabricated through one-step metal-assisted chemical etching in a chemical solution of hydrofluoric acid, hydrogen peroxide and AgNO 3 . Chemical etching is carried out at room temperature and different etching times (30 and 60 min). FESEM images reveal that the sample prepared at longer etching time, has narrower but longer nanowires. EDS spectrum shows that nanowires at synthesized samples are only composed of silicon. Also the reflect spectrum of silicon nanowires and bulk silicon are compared. It indicates that the reflection in visible region, which is about 40% for bulk silicon, reaches less than 0.1-0.2% for silicon nanowire samples.