رشد و مشخصه¬يابي لايه نازك CH3NH3PbI3 به منظور كاربرد در سلول خورشيدي

در سال هاي اخير، تركيبات پروسكايتي هيبريدي آلي-معدني به دليل گاف نواري مناسب و جذب بالاي اپتيكي به عنوان لايه جاذب سلول هاي خورشيدي مورد توجه زيادي قرار گرفته اند. در اين تحقيق لايه نازك پروسكايتي CH3NH3PbI3 به روش دومرحله اي چرخشي-غوطه وري بر روي زيرلايه شيشه رشد داده شده و خواص ساختاري و اپتيكي آن مورد بررسي قرار گرفته است. طرح پراش اشعه x تشكيل ساختار پروسكايتي را تأييد و مطالعه اپتيكي نشان داد كه نمونه رشد داده شده داراي گاف نواري مستقيم حدودeV54/1 است. اين گاف انرژي مناسب در محدوده¬ي طيف خورشيد، لايه نازك CH3NH3PbI3 را كانديد مناسبي براي استفاده به عنوان لايه جاذب در سلول خورشيدي مي¬نمايد.

In recent years, hybrid organic-inorganic perovskite compounds have attracted great attention as solar cell absorber layer due to suitable band gap and high optical absorption. In this work, perovskite CH3NH3PbI3 thin film has been grown on glass substrate by two-step sequential method (Spin-coating - Dipping) and Structural and optical properties have been studied. X-ray diffraction pattern confirmed the formation of perovskite structure and optical studies showed that the grown sample has a direct band gap value of about 1.54 eV. This appropriate energy band gap in the solar spectrum range has made CH3NH3PbI3 thin film as one of the most promising absorber layer candidate for thin film solar cells.