شماره ركورد كنفرانس :
3723
عنوان مقاله :
طراحي و شبيه‏ سازي تقويت‏ كننده كم نويز فرا پهن‏ باند با بهره بالا و عدد نويز پايين در سيستم هاي مخابراتي
عنوان به زبان ديگر :
Design and simulation of low-noise wide band amplifier with high gain and low noise figure in telecommunication systems
پديدآورندگان :
فرهنگ علي farhang.ali.110@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد كرمانشاه; , سيدي حسين hseyedi57@iauksh.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي واحد كرمانشاه;
تعداد صفحه :
15
كليدواژه :
تقويت‏كننده كم نويز(LNA) , فرا‏پهن‏باند(UWB) , تكنيك استفاده مجدد جريان , عدد نويز(NF) , ضريبِ شايستگي(FOM)
سال انتشار :
1396
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس بين المللي در مهندسي برق
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين مقاله پروسه كامل تحليل، طراحي و شبيه‏سازي يك تقويت‏كننده كم نويز فراپهن‏باند با جزئيات كامل و دقيق به همراه مسائل و چالش‏هاي مهم پيرامون فراهم ساختن شرايط براي تحقق پوشش كامل باند فراپهن از فركانس 3/1 تا 10/6 گيگاهرتز، كاهش عدد نويز پايين ، بالا بردن ضريب شايستگي و ... ارائه شد. پهناي باند بسيار بالا و 7/5 گيگاهرتزي تقويت‏كننده كم نويز پيشنهادي، تطبيق امپدانس مناسب در ورودي و خروجي آن به طوري كه پارامترهاي S11 و S22 به ترتيب پايين‏تر از 10/489- و 14/630- دسي بل، بهره ولتاژ و بهره توان نسبتاً بالا به ترتيب برابر با 20/501و 13/311 دسي بل، عدد نويز خوب در محدوده 2/521-2/149 دسي بل، خطساني مطلوب در محدوده فركانس كاري مدار به طوري كه شاخص‏ نقطه تقاطع مرتبه سوم(IIP3) برابر با dBm 0 است، از نقاط قوت برجسته و قابل توجه طرح پيشنهادي مي‏باشد به طوريكه اين موارد به ضريب شايستگي(FOM) برابر با 38/25+ دسي بل منجر شده است كه بسيار قابل توجه مي‏باشد.
چكيده لاتين :
In this article we presented we check the complete process of analyzing , Designing and simulating of a Ultra-Wideband Low noise amplifier ,with full Details and the important issues and challenges is to provide conditions for the realization of a full coverage of the ultrasound band from a frequency of 3/1 to 10/6 GHz, reducing the number of low noise, increasing the suitability of coefficient , Extremely high bandwidth and 7.5 GHz low noise amplifier, matching the proper impedance in the input and output, so that the parameters S11 and S22 are lower than- 10/489 and-14/630 dB, The relatively high voltage, and high power outputs are respectively 20/501 and 13/311 dB, the good number of noise is in the range of 2/149_2/521 dB, optimal errors in the operating frequency range, so that the index of the intersection point of the order Third (IIP3) is equal to 0dbm , it is one of the outstanding strengths of the proposed design, which resulted in a FOM of +38/25 dB, which is very significant
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت