طراحي و پيشنهاد مدار مخصوص كليدزني ماسفت اينورتر پل H در ولتاژ راه اندازي 24 ولت

Design and offer H-Bridge inverter mosfet particular switching circuit at 24V operating Voltage

در اين مقاله طراحي يك مدار كليدزني براي نيمه هادي قدرت ،كانال N با استفاده از اجزاي گسسته در ولتاژ راه اندازي 24 ولت پيشنهاد شده است.در اين شبيه سازي از روش انتقال سطحي خاصي ، براي افزايش ولتاژ گيت كه بالاتر از ولتاژ منبع ميباشد،به كار گرفته شده است.براي مشاهده عملكرد مدار كليدزني طراحي شده، مدار در فركانسهاي ورودي مختلف اعمالي به گيت نيمه هادي از 50 هرتز تا 150 كيلوهرتزآزمايش شده است.در اين مقاله از ماسفت IRF730 به عنوان نيمه هادي كليدزني استفاده شده است.در نتيجه،در عملكرد نشان داده شده ديده ميشود كه مدار كليدزني تا فركانس 100 كيلوهرتز به خوبي كار خواهد كرد.

This paper proposal the design of switching circuit for N-channel power semiconductor using discrete component in 24v operation.special level technique is used to increase the gate voltage higher than supply power in this simulation.the design was tasted to observe its performance with respect to different gate input frequencies 50Hz to 150Hz.this paper using IRF730 mosfet the semiconductor switching.the results obtained switching circuit works well up to frequency 100Khz.