تداخل كوانتومي در اتصال مولكولي در حضور الكترودهاي نيمه رسانا

با استفاده از مدل تنگ بست و فرماليسم تابع گرين، به بررسي اثر تداخل كوانتومي يك اتصال نيمه رسانا/ مولكول/ نيمه رسانا مي¬پردازيم. به منظور اينكه بتوانيم رابطه ميان ساختار الكترونيكي و حضور تداخل كوانتومي را نمايش دهيم، از يك مدل ساده به واسطه اتصال هاي توپولوزيكي خاص آن استفاده مي¬كنيم. طيف عبور، چگالي حالت و ويژگيهاي ترموالكتريك در اين سيستم مورد بررسي قرار مي گيرد. نتايج نشان مي¬دهند، مدل ساده حلقوي كه در بين الكترودهاي نيمه رسانا AS,AB ساندويج مي شود در نمودار گسيل آن فانو رزونانس ظاهر مي گردد. علاوه بر اين، براي حالت هاي سطحي متفاوتي از الكترودهاي نيمه رسانا كه به يك مدل ساده با توپولوژي حلقوي متصل شده است، نمودار سيبك مقادير منفي و يا مثبت مي باشد.