بررسي اثر مقدار سيليسيم روي ويژگي هاي الكتروفيزيكي واريستور هاي كامپوزيتي بر مبناي سيليسيم- پلي آنيلين

واريستورهاي كامپوزيتي سيليسيم – پليمر به روش پرس گرم در فشار60 مگا پاسكال و در دماي °C130 تهيه شدند. بررسي مشخصه هاي جريان- ولتاژ نمونه ها نشان مي¬دهد كه با افزايش مقدار سيليسيم ولتاژ شكست از 110ولت به 70 ولت كاهش يافته ولي جريان نشتي افزايش مي¬يابد. همچنين با افزايش مقدار سيلسيم سد پتانسيل از 0.290الكترون ولت به 0.264 الكترون ولت كاهش مي¬يابد، برخلاف ولتاژ شكست و سد پتانسيل ضريب غير خطي واريستور ها با افزايش سيليسيم از 4.11 به 4.77 افزايش مي¬يابد. . آناليز طيف جذبي نمونه ها نشان مي دهد كه با افزايش مقدار سيليسيم در نمونه ها شدت جذب بعلت افزايش گاف انرژي واريستور ها كاهش پيدا مي كند.